姓名:陈文静
博士后
性别：女
出生年月：1986-05-05
毕业院校：东京大学
学位：博士学位
所在单位：微电子学院
学科：电子科学与技术
办公地点：微电子学院
联系方式：**
Email：chenwj@bhqditi.com

个人简历：
北京航空航天大学微电子学院教师。博士毕业于日本东京大学，主要研究方向为MEMS光电传感器以及基于GMR效应的MEMS智能传感器。

代表性论文：
[1]W. J. Chen, T. Kan, Y. Ajiki, K Matsumoto and I. Shimoyama, “Wavelength-selective silicon near infrared photodetector using surface plasmon resonance enhancement,” The 17th International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems (Transducers 2013), pp.2337-2340, Barcelona, Spain, 16-20 June 2013.
[2]Wenjing Chen, Akihiro Isozaki, Tetsuo Kan, Kiyoshi Matsumoto, Isao Shimoyama, “A near infrared Schottky photodetector using surface plasmon resonance of Au grating on a tilting mirror for spectroscopy,” 2014 International Conference on Optical MEMS and Nanophotonics, pp. 221-222, Glasgow, UK, 17-21 August 2014.
[3]Wenjing Chen, Kan Tetsuo, Ajiki Yoshiharu, Matsumoto Kiyoshi and Shimoyama Isao, “NIR spectrometer using a Schottky photodetector enhanced by grating-based SPR”, Optics Express, Vol 24(22), pp.25797-25804, 2016.

教育经历：
[1] 2012年4月～2016年3月 东京大学情报理工学系研究科智能机械信息学专业
[2] 2008年9月～2011年1月 大连理工大学 机械工程学院 机械电子工程专业
[3] 2004年9月～2008年7月大连理工大学机械工程学院测控技术与仪器专业

工作经历：
[1] 2016年4月～2017年5月东京大学 IRT研究机构 特任研究员

研究方向：
[1] MEMS光电传感器
[2]基于GMR效应的MEMS智能传感器