邓军， 男，1969年出生， 博士， 副研究员， 硕士生导师。
2006年于北京工业大学电子信息与控制工程学院 获得工学博士学位。主要在半导体光电子器件领域从事光电探测器件与材料外延制备的科研和教学工作。工作期间，先后参与、承担国家973、国家863项目、北京市科委、教委项目以及企业科研项目十几项，在国内外会议、期刊发表学术论文四十余篇。
研究方向：
1、III-V族半导体功能材料的外延制备技术
2、半导体光电子器件研究和制备
3、半导体光电子器件的应用
在研的课题：
1、GaAs/AlGaAs多量子阱中长波红外探测器阵列器件
2、InAs/GaSbII类超晶格双色红外探测器研究
3、InP基焦平面阵列探测器研制
4、高增益垂直腔面发射激光器的研制
5、石墨烯材料与器件
代表性论文：
1.Jun Deng, Guangdi Shen, Peng Lian, Songyan Liu, Lan Li, Yanli Shi, Junmiao Wu, Nanhui Niu, Deshu Zou，Optoelectronic transport mechanism from subband infrared absorption and tunneling regeneration，Current Applied Physics 20022:373-378
2.Deng jun、Wang bin、Han jun、Li jianjun、Shen guangdi，GaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetector with Low Noise，Opto-Electronics Letters, 2005,Vol.1,No.1 37－39
3.Ma
4.Dingyuan Li,Jun Deng, Nan Ma, et al,Analysis of carriers transport of novel GaAs/AlGaAs quantum well infrared Photodetectors, International Symposium on Photoelectronic Detection and Imaging 2009: Advances in Infrared Imaging and Applications. Proceedings of the SPIE. 2009, 7383:738310-738310-8
5.Shaojun Luo，Jun Deng，Jianjun Li，Linchun Gao，Rui Chen，Jun Han，The influence of the growth temperature on the doping characteristics of P-GaP layers in AlGaInP red LED，Proceedings 2010 OSA-IEEE-COS Advances in Optoelectronics and Micro/Nano-Optics (AOM 2010)
6.Lin-chun Gao，Jun Deng，Shao-jun Luo，Rui Chen1，Jian-jun Li，Jun Han，Study of P type doping in AlGaInP cladding layer of high brightness red LED，Proceedings 2010 OSA-IEEE-COS Advances in Optoelectronics and Micro/Nano-Optics (AOM 2010)
7.YANG Li-peng,DENG Jun*, SHI Yan-li, CHEN Yong-yuan, WU Bo，Fabrication and performance of InAs/GaSb type-II superlattices Mid-wavelength infrared detectors，Proc.of SPIE Vol. 8907, 890741，International Symposium on Photoelectronic Detection and Imaging 2013: Infrared Imaging and Applications
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