孙捷个人简介:
1、简介
孙捷，1977年生，瑞典查尔摩斯工学院微米技术与纳米科学系助理教授，2010年申报北京市第三批海外人才聚集工程，成为首批4名个人自荐入选此工程的人才之一。2012年起受聘为电子信息与控制工程学院教授。有十余年半导体材料与器件的科研经历，近期主要研究方向为碳电子材料与器件。经历丰富，课题覆盖面广，涉及物理、电子、材料、化学、工艺等多方面。曾组织瑞典、英国、丹麦、新加坡多国间科研合作多次，合作伙伴数十人。目前，在查尔摩斯工学院作为导师指导从事化学气相沉积石墨烯研究的瑞典博士生1人、硕士生3人。

2、教育经历

1995年-2000年，大连理工大学，物理系与外语系，应用物理与科技英语，双学士

2000年-2003年，大连理工大学，物理系，微电子学与固体电子学，硕士，导师：胡礼中教授

2003年-2007年，中科院半导体所，材料科学重点实验室，材料物理与化学，工学博士，导师：王占国研究员（中科院院士）

2005年-2009年，瑞典隆德大学，固体物理系，半导体纳米电子器件，工学博士，导师：徐洪起教授（瑞籍，北京大学****教授）、I.Maximov博士（瑞籍）

3、工作经历

2009年-2011年，瑞典查尔摩斯工学院，微米技术与纳米科学系，碳电子材料与器件，博士后

2011年-，瑞典查尔摩斯工学院，微米技术与纳米科学系，碳电子材料与器件，助理教授

2012年-，北京工业大学，电子科学与控制工程学院，电子材料与器件，教授

4、研究方向
早期从事研究包括：(1)化学液相淀积法制备硅衬底上的氧化硅、氧化铝薄膜；(2)液相外延法生长铝镓砷微探尖；(3)分子束外延生长低密度自组织铟砷/镓砷、铟砷/铝砷量子点及其光学性质；(4)半导体量子点共振隧穿二极管；(5)铟磷基三端弹道结器件及其在混频、鉴相中的应用；(6)集成平面内栅晶体管在RS触发器中的应用；(7)集成三端弹道结在RS触发器中的应用；(8)栅控两维电子气量子点（单点、双点）在单电子晶体管及电荷检测中的应用；(9)原子层淀积高k氧化铪薄膜及其在磷化铟衬底上制备的忆阻器、忆容器。
目前研究方向为：(1)化学气相淀积法制备大面积石墨烯材料，包括新型催化生长以及非催化生长等；(2)石墨烯在氮化镓等半导体材料以及柔性衬底上做光电器件的透明电极应用；(3)石墨烯在纳米电子学中的应用。
5、科研成果
发表论文、专著60余项，其中被ISIWebofScience收录的40余项，h-因子为10。部分成果选列如下:
(1)J.Sun,M.T.Cole,N.Lindvall,K.B.K.Teo,A.Yurgens,“Noncatalyticchemicalvapordepositionofgrapheneonhigh-temperaturesubstratesfortransparentelectrodes”,AppliedPhysicsLetters,100(2012)022102.
(2)J.Sun,N.Lindvall,M.T.Cole,K.T.T.Angel,T.Wang,K.B.K.Teo,D.H.C.Chua,J.Liu,A.Yurgens,“Lowpartialpressurechemicalvapordepositionofgrapheneoncopper”,IEEETransactionsonNanotechnology11(2012)255.
(3)Y.F.Fu,B.Carlberg,N.Lindahl,N.Lindvall,J.Bielecki,A.Matic,Y.X.Song,Z.L.Hu,Z.H.Lai,L.L.Ye,J.Sun,Y.H.Zhang,Y.Zhang,J.Liu,“Templatedgrowthofcovalentlybondedthree-dimensionalcarbonnanotubenetworksoriginatedfromgraphene”,AdvancedMaterials24(2012)1576.
(4)J.Sun,N.Lindvall,M.T.Cole,K.B.K.Teo,A.Yurgens,“Large-areauniformgraphene-likethinfilmsgrownbychemicalvapordepositiondirectlyonsiliconnitride”,AppliedPhysicsLetters,98(2011)252107.
(5)J.Sun,E.Lind,I.Maximov,H.Q.Xu,“MemristiveandmemcapacitivecharacteristicsofaAu/Ti-HfO2-InP/InGaAsDiode”,IEEEElectronDeviceLetters,32(2011)131.
(6)J.Sun,M.Larsson,I.Maximov,H.Q.Xu,“Gate-defineddoublequantumdotwithintegratedchargesensorsrealizedinInGaAs/InPbyincorporatingahigh-κdielectric”,AppliedPhysicsLetters,96(2010)162107.
(7)J.Sun,M.Larsson,I.Maximov,H.Hardtdegen,H.Q.Xu,“Gate-definedquantum-dotdevicesrealizedinInGaAs/InPbyincorporatingaHfO₂layerasgatedielectric”,AppliedPhysicsLetters,94(2009)042114.
(8)J.Sun,D.Wallin,I.Maximov,H.Q.Xu,“AnovelSRlatchdevicerealizedbyintegrationofthree-terminalballisticjunctionsinInGaAs/InP”,IEEEElectronDeviceLetters29(2008)540.
6、邀请报告
(1)2011年3月2日，应丹麦技术大学PeterBøggild教授邀请赴丹麦做“Coppercatalyzedchemicalvapordepositionofgraphene”的专场报告，级别为NanotechInstituteColloquium.
(2)2011年5月9日，应首尔国立大学YungWooPark教授邀请赴韩国做“Coppercatalyzedchemicalvapordepositionofgraphene”的报告，级别为theInternationalSymposiumonCarbonElectronics(ISCE).
7、电子邮件
jie.sun@bjut.edu.cn。