北京信息科技大学硕士研究生导师简介
导师姓名    赵凯    性别    男    出生年月II 1981年9月24 H        LJ
政治面貌    群众    专业技术职务    副教授    行政职务II    无       
所属学院    通信学院    办公电话    个人邮箱 II zhaokaiyeah@qq. com       
任硕导时间    2017. 9    任瞎导时间    无    最后学历/学位    I専七研究生/理学廊士   
所属学科        信息与通信工程        主要研究方向    匸维集成电路设计与仿真   
                    納米半导体器件的建模与仿真   
国外工作/学习经烦 （含性质、国别、时1为 段）        2008.11-2010. 07 徳国联3        《国防军大学（DAAD奖学金）    交流博士生       
个人简历 （从大学开 始填起）    自何年月    至何年月    就学或工作单位（填至专业或系部）           
    2000. 9    2004. 7    烟台大学光电信息学院           
    2004. 9    2006. 7    北京理工大学机电工程学院（硕十研究生）           
    2006. 9    2012. 7    北京大学信息科学技术学院（傅十研究生）           
    2008. 11    2010. 7    徳国联邦国防军大学EIT4 （交流陣士生）           
    2012. 7    2014. 9    北京大学信息科学技术学院（博士后）           
    2014. 9    /    北京信息科技大学通信工程系           
研课题（隈
1.    《纳米尺度器件屮的电热耦合分枷及模拟研究》，国家自然科学基金青年项目，主持：
2.    《三维封装屮的高可靠性数据通路兀余设计方法与自检测、自修复电路研究》，北京市自然率学基金而上项目，主持；
《基于XXXXX的三维高密度集成XXXX》课题一子课题二，原总装备部军973,第二负 责人：
《与硅技术融合的石墨烯类材料及其器件的研究》,科技部，973项目，10：
《超低功耗高性能集成电路器件与工艺基础研究》，科技部，02重大专项，排乳9。
Investigation of the Impact of the Pauli Principle in DG MOSFETs Using z Deterministic Method, Chinese Physics B, 2012. 11.1, 21 (11) : 118501-P118501-5,第一作者：
Impact of Back biasing in Ultra Short Channel UTBB SOI nMOSFETs , The
International Conference on Simulation pf Semiconductor    Processes    anc
Devices, Glasgow, 2013. 9. 3-2013. 9. 5,第一作者;
Investigation of transient responses of nanoscale transistors by deterministic solution of the time-dependent BTE , Journal of Computational Electronics, 2016.01.01, 15 (3) : 770~777,通信作者：
TRANSIENT SIMULATION OF NANO-SCALE UTBB NMOSFETS BY DETERMINISTICALLY SOLVINC
BTE , IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit
Technology, Guilin, 2014.10. 28-2014. 10. 31,通信作者;
Inves ti gat ion of Scattering Mechanism in Nano-Scale Double Gate In0.53Gao.
nMOSFETs by a Deterministic BTE Solver, International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Nuremberg, 2016. 9. 6-2016. 9. 8,通信作者;
Globally hyperbolic moment method for BTE including phonon seattering, SISPAI