针对B<sub>4</sub>C陶瓷烧结性能较差、成本较高的技术问题，提出了一种新型的B<sub>4</sub>C基复合陶瓷的制备方法. 该方法以B<sub>4</sub>C、Ti<sub>3</sub>SiC<sub>2</sub>及Si的混合粉作为初始粉体，通过放电等离子烧结技术（SPS）制备第二相（TiB<sub>2</sub>+SiC）质量分数为30%的B<sub>4</sub>C-TiB<sub>2</sub>-SiC复合陶瓷，利用SPS特殊的烧结机制以及烧结过程中的原位放热反应，有效提升了B<sub>4</sub>C陶瓷的烧结性能，降低了B<sub>4</sub>C陶瓷的制造成本. 研究结果表明，在烧结温度为1650 °C，保温时间为5 min，烧结压力为50 MPa的条件下，制备得到了具有较高致密度（98.5%）的B<sub>4</sub>C-TiB<sub>2</sub>-SiC复合陶瓷. 随着烧结压力的增加，B<sub>4</sub>C-TiB<sub>2</sub>-SiC复合陶瓷的硬度逐渐增大，断裂韧性不断减小，而复合陶瓷的弯曲强度则呈现出先缓慢增加后迅速增大的变化趋势.
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B<sub>4</sub>C-TiB<sub>2</sub>-SiC复合陶瓷的SPS制备及组织性能研究
本站小编 Free考研考试/2023-12-02
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