为了改善T/R组件中2.5 D转接板的高频特性，本文提出一种工艺简单、结构新颖的混合介质层类同轴硅通孔（through silicon via，TSV）结构，对混合介质层类同轴TSV结构的外围TSV数量、TSV直径、混合介质层厚度等参数进行了仿真研究，并与传统同轴TSV的回波损耗、插入损耗、串扰等性能进行对比.结果表明优化后的混合介质层类同轴TSV结构在1~45 GHz频率范围内，具有良好的射频传输性能.
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混合介质层类同轴垂直硅通孔的高频性能研究
本站小编 Free考研考试/2023-12-02
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