对低阻硅TSV以及铜填充TSV的热力学性能通过有限元仿真的方法进行对比分析.低阻硅TSV在绝缘层上方以及低阻硅柱上方的铝层区域中凸起最为显著，且高度分别为82 nm和76 nm；铜填充TSV的凸起位置主要集中在通孔中心铜柱的上方，最大值为150 nm.应力方面，低阻硅TSV在绝缘层两侧的应力最大，且最大值为1 005 MPa；铜填充TSV在中心铜柱外侧应力最大，且最大值为1 227 MPa.另外，两种结构TSV的界面应力都在靠近TSV两端时最大.低阻硅TSV界面应力没有超过400 MPa，而铜填充TSV在靠近其两端时界面应力已经超过800 MPa.综上所述，相比于铜填充TSV，低阻硅TSV具有更高的热力学可靠性.
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