穿透硅通孔（through silicon via，TSV）的热机械可靠性问题已经成为制约TSV市场化应用的重要因素.本文对BCB介质层同轴TSV的热力学特性进行了研究分析，同时对其几何参数（SiO₂绝缘层厚度、屏蔽环厚度、TSV间距、中心信号线半径）进行了变参分析，为降低热应力提供指导意见.结果表明，在阻抗匹配的前提下，通过增加SiO₂绝缘层厚度、减小屏蔽环厚度能够有效降低同轴TSV的诱导热应力；相比之下中心信号线半径和TSV间距的变化对其影响可忽略不计.
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