姓 名
李弘恺


职 称
副研究员
硕导

学院专业
机械与车辆学院

办公地址
北京理工大学1号教学楼303室

邮 编
100081

办公电话


邮 件
lihongkai@bit.edu.cn



个人简介


2019至今 北京理工大学机械与车辆学院 助理教授/特别副研究员
2015-2018 清华大学机械工程系博士后（助理研究员）
2010-2015清华大学机械工程系博士研究生
2006-2010北京科技大学自动化 本科
研究方向： 摩擦学，微纳制造，化学机械平坦化在线检测


代表性论文及研究项目

主持中国博士后科学基金，天津市企业博士后创新项目择优资助计划（一等），并作为骨干成员参加国家自然科学基金重大研究计划集成项目和国家科技重大专项。
[1] Li HK, Zhao Q, Lu XC, Luo JB, “Signal processing and analysis for copper layer thickness measurement within a large variation range in the CMP process,” REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS. 88(11), 2017.
[2] Li HK, Lu XC, Luo JB, "Motor Power Signal Analysis for End-Point Detection of Chemical Mechanical Planarization," Micromachines, 8(6), 2017.
[3] Li HK, Wang TQ, Zhao Q, Meng YG, Lu XC. "Kinematic analysis of in situ measurement during chemical mechanical planarization process," REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS. 86(10), 2015.
[4] Li HK, Qu ZL, Zhao Q, Tian FX, Zhao DW, Meng YG, Lu XC. "A reliable control system for measurement on film thickness in copper chemical mechanical planarization system," REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS. 84(12), 2013.
[5] Li J, Liu J, Cheng J, Li HK, et al. Role of the Adhesion Force during Copper Chemical Mechanical Planarization. ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 7(8): P410-P415.
[6] Li HK, Wang TQ, Li K, Lu XC. "IN-SITU CU LAYER THICKNESS MEASUREMENT DURING CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION," 2016 CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE (CSTIC), 2016.
[7] Li HK, Wang TQ, Zhao DW, Luo JB, Lu XC, "An In-Situ End-Point Detection System Using Motor Power Signal for Chemical Mechanical Planarization Process," Key Engineering Materials, 739, 2017.
[8] Li HK, Lu XC, Luo JB. Research on Multi-Method Endpoint Detection in Chemical Mechanical Planarization Process. 2017 International Conference on Planarization/CMP Technology (ICPT), Belgium, 2017.
[9] Li HK, Lu XC, Luo JB. Multi-zone pressure control for chemical mechanical planarization system. Sixth World Tribology Congress (WTC 2017), Beijing, 2017.
[10] Li HK, Lu XC, Luo JB. Multi-Method Endpoint Detection in the Copper Chemical Mechanical Planarization Process. 6th International Conference on nanoManufacturing, London, UK, 2018.
[11] Li HK, Lu XC, Luo JB. Research on In-Situ Thickness Measurement for Copper Chemical Mechanical Planarization Process. 2018 International Conference on Planarization/CMP Technology (ICPT), Seoul, Republic of Korea, 2018.
申请专利29件。其中，发明专利授权15件，实用新型授权1件。以下仅列授权专利部分。
1. 晶圆铜膜厚度在线测量模块控制系统，ZL 2013 1 **.2，中国.
2. CMP集成控制系统的通讯模块，ZL 2013 1 **.1，中国.
3. 基于XML的半导体装备的工艺配方文档处理系统，ZL 2013 1 **.8，中国.
4. 晶圆铜膜厚度离线测量模块控制系统，ZL 2013 1 **.8，中国.
5. 化学机械抛光控制系统的远程访问客户端，ZL 2013 1 **.5，中国.
6. 化学机械抛光多区压力在线控制算法，ZL 2016 1 **.4，中国.
7. 用于晶圆铜层厚度多点测量的标定系统，ZL 2016 2 **.7，中国.
8. 多工位化学机械抛光系统中晶圆传送的控制方法，ZL 2016 1 **.X，中国.
9. CMP金属膜厚测量数据的离线分段处理方法和处理系统，ZL 2016 1 **.1，中国.
10. 铜CMP在线测量点实时定位方法及系统，ZL 2016 1 **.5，中国.
11. 铜CMP的在线平坦度控制系统，ZL 2017 1 **.8，中国.
12. 用于化学机械抛光工艺终点检测的离线调试系统及方法，ZL 2017 1 **.3，中国.
13. 用于化学机械抛光工艺的在线终点检测控制系统及方法，ZL 2017 1 **.2，中国.
14. 用于晶圆台的晶圆膜厚度测量误差补偿的时空变换方法，ZL 2011 1 **.0，中国.
15. 用于晶圆台的晶圆膜厚度测量的误差补偿方法，ZL 2011 1 **.9，中国.
16. 利用晶圆台测量晶圆的膜厚度的方法，ZL 2011 1 **.8，中国.

成果及荣誉

1. 化学机械抛光终点检测装置用户软件 V1.0，2013SR020366，中国.
2. 双工位化学机械抛光设备操作软件 V1.0, 2013SR017915，中国.
3. 全自动干进干出化学机械抛光设备用户软件V1.0，2013SR020014，中国.
4.远程监控清洗设备用户软件 V1.0，2013SR045510，中国.
5. 化学机械抛光设备OPC客户端软件 V1.0，2013SR046281，中国.
6. 化学机械抛光工艺配方处理软件 V1.0，2013SR045508，中国.
7. 化学机械抛光控制系统通讯模块软件 V1.0，2013SR106347，中国.
8. 离线测量晶圆铜膜厚度模块控制软件 V1.0，2013SR106219，中国.

社会职务


无