简介：
1998年发明两端固态自发混沌振荡器用作保密通讯。1999年至2001年发明了纳米尺度的沟槽肖脱基MOS场效应晶体管。2001年至2002年提出和设计了高介电常数闪烁存储器单元器件结构，能使闪烁存储器单元的读写电压减小到10伏， 读写时间减小到10微秒以下，并且能使闪烁存储器能采用50纳米以下的CMOS技术制造，让1000G的闪烁存储器可以大规模制造.2002年提出和设计了高介电常数闪烁存储器单元器件结构。2004年理论和实验证明了纳米尺度的MOS场效应晶体管在积累区能自动具有单电子晶体管特性。2005年研制出我国第一支无线通讯基站用的高频大功率RF LDMOS器件，该产品拥有自主知识产权。