吕志超 中国科学技术大学专业学位实践导师简况表
申请专业
电子信息
所在单位
睿科微电子有限公司

姓名
吕志超
性别
男
出生日期
198103
职称
博士
评定时间


最高学位
博士
授予时间
201012
授予学校
University of Fl
授予专业
Electrical Engineering

人才类型

校内推荐人
康一
申请导师类型
硕导


是否研究生导师
否
首次担任博导单位



主要行政或学术兼职



指导研究生情况(博士共0人、硕士共0人，其中 位如下 )

学位论文名称学生姓名学校名称类别毕业时间
主要学习、工作、出国经历

2018-05 – 现在: 合肥睿科微电子有限公司，合肥
2012 – 2018: Rambus Inc，美国Sunnyvale
2010 – 2012: Globalfoundries ，美国Sunnyvale
2010 – 2010: IMEC 欧洲微电子中心，比利时Leuven
2005 – 2010: University of Florida，美国Gainesville

主 要 研 究 方 向 及 特 色
代 表 性 成 果 简 介

面向下一代存储，存内计算以及边缘计算，基于新型存储器的器件，电路以及系统的研究。 领导了16MbitRRAM芯片从工艺集成，器件设计，电路设计，芯片架构到流片成功，实现了高良率和高可靠性的RRAM独立芯片。基于实现的RRAM芯片，创立了合肥睿科微电子有限公司。在先进CMOS逻辑和存储器件设计有丰富的经验，基于先进节点的FDSOI平台，打破了BBoltzeman极限，实现了最低的晶体管亚阈区斜率，同时集成了无电容DRAM存储器，完成了SoC芯片平台的集成。
获奖名称、颁奖单位等级本人排名获奖时间

本人近五年来发表高水平论文情况（限填10篇）

发表论文名称发表刊物本人排名是否通讯发表时间Resistive Random Access Memory for Future Information Processing SystemProceedings of the IEEE2/8否(2017-09)Performance Improvements by SL-Current Limiter and Novel Programming Methods on 16MB RRAM ChipInternational Memory Workshop2/10否(2017-05)Suppression of relaxation effect in HfO2 resistive random access memory array by improved program operationsApplied Physics Express3/9否(2016-05)Realizing super-steep subthreshold slope with conventional FDSOI CMOS at low-bias voltagesInternational Eletrcon Device Meeting1/10是(2010-12)A novel low-voltage biasing scheme for double gate FBC achieving 5s retention and 1016 endurance at 85° CInternational Eletrcon Device Meeting1/10是(2010-12)
本人目前正在承担的科研项目(仅限于主要负责人)

项目名称、来源、经费指标卡号总经费(万元)本人经费(万元)起止日期
本人近五年出版专著、申请专利及获奖情况

出版专著名称、出版社总字数(万字)本人字数(万字)出版时间
应用、鉴定成果、专利（专利号）类型、等级本人排名公开时间Rram process integration scheme and cell structure with reduced masking operatioPCT1/22019-09Techniques for initializing resistive memory devicesPCT1/22019-12Methods for operating a semiconductor devicePCT1/42013-12