孙海定
单位：微电子学院
地址：安徽省合肥市蜀山区黄山路中国科学技术大学北校区融合楼2楼
邮编：230027
电话：无
个人主页： haiding@ustc.edu.cn
实验室介绍： https://sme.ustc.edu.cn/2018/1215/c17411a365662/page.htm


个人简历 Personal resume


孙海定博士现任中国科大微电子学院特任研究员，博士生导师，IEEE Senior Member。毕业于美国波士顿大学，博士期间师从氮化物半导体分子束外延（MBE）奠基人Theodore D. Moustakas教授，长期致力于MBE/MOCVD宽禁带氮化物和氧化物半导体外延技术及紫外光电器件设计与工艺的研究。主要研究半导体材料外延技术, 器件设计与工艺制造, 器件光和电性能表征与物理机制，涵盖光电子（LED, laser, photodetector等）和电力电子功率器件（MOSFET, HEMT, SBD等）。同时包括低维材料与器件（纳米线，量子点），二维/三维新型半导体异质结的材料生长和电子输运特性研究。并与工业界紧密合作（欧司朗OSRAM等），部分技术实现产业化。近五年来在光电材料和器件领域重要期刊，如Adv. Funct. Mater., ACS Photonics, Optica, Nano Energy, IEEE Electron Device Lett., Appl. Phys. Lett., Opt. Express, Nanoscale等发表70篇论文（其中一作20篇，通讯作者21篇）。申请美国专利5项，国际专利4项，中国专利12项。在国际会议上做口头报告49次（9次特邀报告）。受邀撰写ELSEVIER出版社《Nanoscale Semiconductor Lasers》书中题为“Ultraviolet Quantum Well Lasers”和人民邮电出版社出版的《可见光通信新型发光器件原理与应用》书中题为“非极性和半极性面氮化镓激光器”的两个章节，均已经出版。相关工作受到同行和业界广泛关注，被国际科技媒体报道100余次，包括半导体行业权威杂志《Compound Semiconductor》（10次）、《Semiconductor Today》（5次）、欧洲最大电子工程杂志eeNews Europe（7次）、美国主流科技媒体Phys.org（7次），科研成果多次以周刊/月刊亮点新闻专题报道。受邀长期担任多个国际会议的分会联席主席，Journal of Electronic Packaging等SCI期刊客座编辑（2019，Guest Editor），Advanced Materials等二十多家重要期刊审稿人。2014年在波士顿创立美国太阳能公司CloudSolar，被华尔街日报，波士顿环球时报，美国国家广播电台等报道。


研究方向 Research direction


1、宽禁带半导体材料和器件(（1）MBE/MOCVD材料生长，（2）器件和芯片制造)
2、光电子器件和HEMT器件
3、传感器和微纳电子器件



招生信息 Enrollment information


背景：电子，半导体，物理，材料，光电，化学等对半导体材料和器件和交叉学科感兴趣的同学。


论文专著 The monograph


1)Recent Advances on III-Nitride Nanowire Light Emitters on Foreign Substrates – Toward Flexible Photonics - Physica Status Solidi A - 2019 -
2)Surface-Passivated AlGaN Nanowires for Enhanced Luminescence of Ultraviolet Light Emitting Diodes - ACS Photonics - 2018 -
3)Graded-Index Separate Confinement Heterostructure AlGaN Nanowires: Toward Ultraviolet Laser Diodes Implementation - ACS Photonics - 2018 -
4)Nearly-zero valence band and large conduction band offset at BAlN/GaN heterointerface for optical and power device application - Applied Surface Science - 2018 -
5)HCl Flow-Induced Phase Change of α‑, β‑, and ε‑Ga2O3 Films Grown by MOCVD - Crystal Growth & Design - 2018 -
6)Lateral-Polarity Structure of AlGaN Quantum Wells: A Promising Approach to Enhancing the Ultraviolet Luminescence - Advanced Functional Materials - 2018 -
7)Deep-Ultraviolet Emitting AlGaN Multiple Quantum Well Graded-Index Separate-Confinement Heterostructures Grown by MBE on SiC Substrates - IEEE Photonics Journal - 2017 -
8)Influence of TMAl preflow on AlN epitaxy on sapphire - APPLIED PHYSICS LETTERS - 2017 -
9)Valence and conduction band offsets of β-Ga2O3/AlN heterojunction - APPLIED PHYSICS LETTERS - 2017 -
10)Droop-free AlxGa1-xN/AlyGa1-yN quantum-disksin-nanowires ultraviolet LED emitting at 337 nm on metal/silicon substrates - Optics Express - 2017 -
11)Enhancement of Yellow Light Extraction Efficiency of Y3Al5O12:Ce3+ Ceramic Converters Using a 2-D TiO2 Hexagonal-Lattice Nanocylinder Photonic Crystal Layer - IEEE Photonics Journal - 2016 -