作者: xt2010569    时间: 2014-4-7 11:41
标题: 2014年电物学院复试真题回忆（器件，模电）
模拟电子技术基础
范围：第10，11章可不看，第9章可略看，场效应管的电路可略看，其他基本全部要看
选择10题（都是书上的基础概念，书上的课后习题的选择好像有原题，第一题是三极管三个电位，判断什么管子，几乎知识点都有的，所以都要看一遍）
画图2题，20分，晶体三极管的混合π型等效电路P226面的图，并说明gm和C的意义
第二题P469自测题第二题
计算2题好像，都是课后习题
第二章2.11
第八章8.22
注：今年考了很多第八章的东西，第五章，都是容易略看的，反馈什么的竟然没考，不按常理出牌啊，和去年的真题相比差距也很大，所以建议复习的时候把所有的 课后习题都做了，我这里有勾的课后习题，范围应该不会跑出去，今年卷子也许是刘士兴老师出的，大家反映考的都不是很好，第五章和第八章都是本科上课的时候 不怎么强调的内容。

半导体器件物理
特征频率，MOS管饱和区漏极电流不饱和原因，扩散电容与势垒电容的区别
（以后还可能考到的：PN结击穿机制，截止频率）
两种MOSFET的小尺寸效应及对各种器件的影响
推导Sah方程，验证饱和区gm和线性区gd的关系
在NPN型双极型晶体管正向有源区工作时Ic=qAE等等，不好打exp(qVbe/kT)求βF和提高βF的措施
给出理想N型半导体MOS电容的C-V特性曲线，并分区进行分析。
注：器件物理把以前的真题全部做了，背会保证ok

想了解复试的情况，问问学长学姐就可以了，面试也一般的，分组面试，部分专业较严，有的专业较松。大概都是英文自我介绍，中文自我介绍，英文提问，微固会有专业论文的翻译，老师会提问一些问题，根据自我介绍，好好准备自己的毕业设计，这个很重要，多了解有关的内容。

作者: 695936987    时间: 2014-4-7 12:16
复试辛苦了……

作者: 易叶落    时间: 2014-4-7 14:17
楼主辛苦了！祝楼主年年拿第一

作者: xt2010569    时间: 2014-4-9 16:04
录取结果已出

作者: 晨星12345    时间: 2014-4-13 16:39
请问复试面试时大概会问哪些方面的专业方面的问题，有没有范围。

作者: xt2010569    时间: 2014-4-13 21:09

面试分差应该不大，主要是复试的笔试，要拿高分才能上排名，最后的成绩排名是初试成绩+复试笔试+听力+面试+口语，没有权重，排名靠后的就被刷。150 的专业课笔试，考多少分直接决定能不能上。面试问题都不大，一个院分了4个组的，面试问的侧重也不一样，专业问题也有，不会也没多大关系。

作者: 考研论坛    时间: 2014-4-24 15:43
感谢分享~

作者: 然后呢668    时间: 2014-5-11 17:32
学长 求初试专业课资料  谢谢  2466810668@qq.com

作者: wxgdmykj    时间: 2015-2-22 23:48

学长可以加好友吗4.4.9.3.0.9.8.5.9十分感谢