报告地点：工业与装备技术研究院二楼210会议室


报告人：饶世国 博士

工作单位：美国加州美高森美（Microsemi）微电子集团公司

举办单位：工业与装备技术研究院

报告人简介：

饶世国博士现任美国加州美高森美（Microsemi）微电子集团公司技术院士，国际电子工程师协会高级会员。负责公司可靠性部门，主要研究最新工艺和材料引起的新的可靠性破坏机理以及芯片设计过程中可靠性设计方案。包括金属线结构的电子和应力迁移；晶体管栅极击穿，电压和温度引起的晶体管非稳定性，热电子冲击以及芯片和封装耦合可靠性问题。

饶世国博士1991年毕业于中国科学技术大学，获得固体材料和力学博士学位。毕业后任教于中国科学技术大学。1994年被新加坡国家科技局引进人才计划聘为研究员。1997年开始在美国西北大学可靠性和破坏预防研究中心做研究员。2000开始进入微电子工业界从事可靠性研究和应用，先后任职于摩托罗拉电子和爱立信公司担任高级和主任工程师。2004年加入美高森美先后担任技术委员会高级委员，首席工程师和技术院士职称。

饶世国博士在高等芯片的可靠性领域发表论文三十余篇。在多个国际学术会议作大会报告和分会主席。自2012年起担任国际可靠性物理大会技术委员会成员。负责和参与多个国际标准的制定。

报告简介：

系列讲座主要包括一下八个方面的内容：

1. 封装和晶元技术现状及发展趋势

2. 可靠性基本理论

3. 可靠性的挑战

4. 封装在电，热及应力下的破坏机理

5. 晶元级可靠性破坏机理

6. 可靠性设计原理和应用

7. 可靠性测试

8. 破坏分析方法

报告时间：

第一场：2018年4月3日（星期二）9:00~11:00；

第二场：2018年4月4日（星期三）9:00~11:00；

第三场：2018年4月8日（星期日）9:00~11:00；

第四场：2018年4月9日（星期一）9:00~11:00.