姓名
王来国
性别
男


籍贯
山东菏泽
出生年月
1977.03

邮箱
wlglily@163.com
联系电话
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个人简介

博士，副教授、硕士生导师。
个人经历
1997-2001年在济南大学化学工学院学习，2001年获理学学士学位；2001-2004年济南大学材料学专业硕士研究生，2004年获硕士学位；2004-2005年济南山水集团工作；2005年7月进入安庆师范大学化学化工学院任教。2013-2017年南京大学材料物理与化学专业博士研究生，2017年获博士学位。目前主讲《材料科学基础》、《材料物理性能》、《材料化学》、《材料化学专业综合实验》、《有机化学实验》等课程。
研究领域
①氧化物半导体信息存储材料与器件以及人工仿生忆阻功能器件研究；②半导体光催化降解材料的研究；③稀土-有机杂化材料在分子识别领域的研究。
教学科研成果
发表论文共计20余篇，其中SCI论文8篇（一作和通讯作者4篇），申请发明专利3项，作为核心成员参与国家自然科学基金2项，出版教材1部。2009年和2019年分别作为重要参与、组织者和执笔人，成功申报并获批了国家级化学特色专业建设点（排名第3）和化学国家一流专业建设点（排名第3），为学院乃至学校挣得了荣誉。本人先后于2010年、2016年、2019年获得教学考核优秀称号，2011年获得优秀基层共产党员荣誉称号。
承担教学科研项目
1. 徐衡，王钧伟，王来国，等，化学国家级一流专业建设点，排名第三。
2. 王来国，朱海，朱凤，董晓庆，《材料科学基础》大规模在线开放课程（项目编号：2019mooc214），主持人。
3. 吴根华，张群，王来国，夏宏宇，等，国家级特色专业化学专业建设（项目编号：TS10893），建设点秘书。
4. 新型氧化物复合材料阻变存储器的制备及存储特性研究，国家自然科学基金项目(**)， 2012-2015，排名第二，主要完成人。
5. 叠层复合薄膜阻变存储器的原子层沉积制备及其存储特性研究，安徽光电磁功能材料省级实验室开放课题（K**），主持人。
代表论文
1.Wang LG^*, Cao ZY, Qian X, Zhu L, Cui DP, Li AD, Wu D. Atomic Layer Deposited Oxide-Based Nanocomposite Structures with Embedded CoPt_xNanocrystals for Resistive Random Access Memory Applications. ACS Appl Mater Interfaces2017;9(7):6634–43. SCI一区（IF：6.723）
2.Wang LG*, Qian X, Cao YQ, Cao ZY, Fang GY, Li AD, Wu D. Excellent resistive switching properties of atomic layer-deposited Al₂O₃/HfO₂/Al₂O₃ trilayer structures for non-volatile memory applications. Nanoscale Res Lett2015;10(1): 135-43. SCI二区（IF：2.524）
3.Wang LG^*, Zhang W, Chen Y, Cao YQ, Li AD, Wu D. Synaptic Plasticity and Learning Behaviors Mimicked in Single Inorganic Synapses of Pt/HfOx/ZnOx/TiN Memristive System. Nanoscale Res Lett2017;12(1):65-75. SCI二区（IF：2.779）
4.Liu C, Wang LG^*, Qin K, Cao YQ, Zhang XJ, Wu D, et al. Impact of Metal Nanocrystal Size and Distribution on Resistive Switching Parameters of Oxide-based Resistive Random Access Memories. IEEE Trans Electron Devices 2018;65:1-5.SCI二区（IF：3.048）
5.Liu C, Wang LG^*, Cao YQ, et al. Synaptic functions and a memristive mechanism on Pt/AlOx/HfOx/TiN bilayer-structure memristors. J Phys D: Appl Phys 2020;53:1-11. SCI二区（IF：2.328）