姓名：何刚
学位：理学博士
职称：教授
职务：无
研究方向：场效应器件及柔性透明显示薄膜器件集成
办公电话：**
E-mail：hegang@ahu.edu.cn
课题组主页： http://www.ahu-hegang-group.com

个人简介：
2001年获安徽大学理学学士学位，2006年获中科院合肥物质科学院固体物理所凝聚态物理博士学位。2007～2011曾先后在日本东京大学、日本国家材料研究所从事科学研究工作。现为安徽大学物理与材料科学学院****、博士生导师、安徽省学术学科带头人、合肥市第八批专业技术答辩人才、在超薄栅材料设计、场效应器件界面调控、柔性全透明薄膜晶体管性能优化等方面,取得了一系列的成果,得到了国际同行的认可和高度关注。在国际有影响的刊物：Pro. Mater. Sci; Surf. Sci. Rep; Appl. Phys. Lett; ACS Appl. Mater. Interfaces; Adv. Electro. Mater; IEEE TED（发表论文200余篇，被正面引用近2300余次。先后主持国家自然科学基金面上、青年项目，教育部重点科学技术项目，留学回国人员择优资助项目，以及安徽省自然科学基金面上项目多项；先后参与多项包括国家973 重大研究计划项目、国家自然科学基金面上项目、日本学术振兴会博士后特别基金项目等在内的重要课题。
承担项目：
(1) 高k栅介质/金属栅锑化镓MOS器件中的关键物理问题研究：国家自然科学基金面上项目(**)； 2018-2021； 总经费：76.8万 (主持，在研)
(2) 高k栅介质/钝化层/InGaAs叠层结构设计、界面失稳调控及性能优化：国家自然科学面上项目（**)；2016-2019；总经费：76.8万 (主持，在研)
(3) HfTiON/AlON/Ge叠层栅结构设计、界面调控及器件性能研究：安徽省自然科学基金面上项目（**MA06)；2016-2018；总经费：8万 (主持，在研)
(4) 叠层结构对新型MOS场效应晶体管的界面调控和性能优化研究：国家自然科学基金面上合作项目（**) ；2015-2018；总经费：90万 (合作主持36万，在研)
代表性论文、著作和专利等：
1. L. Zhu, G. He, W. D. Li, B. Yang, E. Fortunato, R. Martins, Nontoxic, Eco-friendly Fully Water-Induced Ternary Zr-Gd-O Dielectric for High-Performance Transistors and Unipolar Inverter Adv. Electro. Mater. 4 (2018) **.
2. S. S. Jiang, G. He, M. Liu, L. Zhu, S. Liang, W. D. Li, Z. Q. Sun, M. L. Tiang, Interface modulation and optimization of electrical properties of HfGdO/GaAs gate stacks by ALD-derived Al₂O₃passivation layer and forming gas annealing Adv. Electron. Mater. 4 (2018) **.
3. G. He, J. Gao, H. S. Chen, J. B. Cui, X. S. Chen, and Z. Q. Sun, Modulating the interface quality and electrical properties of HfTiO/InGaAs gate stack by atomic-layer-deposied Al₂O₃passivation layerACS Appl. Mater. Interfaces.6 (2014) 22013.
4. G. He, J. W. Liu, H. S. Chen, Y. M. Liu, Z. Q. Sun, X. S. Chen,M. Liu, and L. D. Zhang Interface control and modification of band alignment and electrical properties of HfTiO/GaAsgate stacks by nitrogen incorporationJ. Mater. Chem. C.2(27) (2014)5299.
5.G. He, X. S. Chen, and Z. Q. Sun, “Interface engineering and chemistry of Hf-based high-k dielectrics on III-V substrates” Sur. Sci. Rep. 68 (2013) 68.
6. G. He, L. Q. Zhu, Z. Q. Sun, Q. Wang, and L. D. Zhang, “Integrations and challenges of novel high-k gate stacks in advanced CMOS technology” Prog. Mater Sci.56 (2011) 475.
获奖情况：
1.安徽省自然科学二等奖（2014，第一完成人）
2. 安徽省自然科学二等奖（2016，第三完成人）