姓名：王磊
学位：理学博士
职称：副研究员
职务：教师
研究方向：纳米磁性薄膜材料和高灵敏度磁传感器件
办公电话：**
E-mail：wl199826@163.com


个人简介：
2004年毕业于复旦大学物理系，获得博士学位，随后在中国科学院物理研究所工作，多年来一直从事纳米磁性薄膜材料和器件方面的研究，特别是近年来，主要从事反铁磁磁电阻效应、铁磁/反铁磁交换偏置、巨磁电阻材料及其器件，磁存储材料和器件以及磁性隧道结材料方面的研究工作，在Physical Review B, Applied Physics Letters等国内外核心刊物上发表论文十几篇，以第一发明人和其它合作获得国家发明专利十多个。主持国家自然科学基金项目两项、中国科学院王宽城博士后基金一项，参与国家重点基础研究发展计划973项目一项(“基于自旋和量子效应的纳米磁随机存储器的基础研究”，批准号：1J2006CB**)。
在巨磁电阻传感器方面的研制方面，利用巨磁电阻材料制备传感器并与企业合作开发出具有国内领先、世界先进水平的IP67防水数显卡尺，实现产业化，为企业创造了良好的经济效益，该项技术目前世界上只有4家公司拥有，我们是中国的一枝独秀，同时该巨磁电阻传感器技术在大量程，高精度和高防护级别的数显卡尺领域处于世界领先。与此同时，从事与该领域相关的基础研究工作，在铁磁/反铁磁耦合、磁性隧道结和反铁磁磁电阻效应方面取得一系列成果。
承担和参与的主要科研项目：
1. 王宽诚博士后奖励基金：“巨磁电阻和隧道结电阻磁性传感器的研制”；项目负责人（主持），年限：2006.1-2007.12。
2. 国家自然科学基金（面上项目)：“Mn基反铁磁材料双势垒隧穿各向异性磁电阻效应的研究”；项目负责人（主持），项目批准号：**，年限：2014.1-2017.12，资助经费：80万。
3. 国家自然科学基金（面上项目)：“测量极弱磁场(fT)的磁电阻-超导组合多层膜传感器的设计与研制”；项目负责人（主持），项目批准号：**，年限：2009.1-2011.12，资助经费：36万。
4. 入选南京2013年度“321”创新创业领军人才计划，资助经费：100万。
5. 国家973项目(参与)：“磁性隧道结材料、物理及器件研究”；项目组成员，项目编号：2002CB610601，年限：2002.1-2007.12，资助经费：900万，
6. 科技部“纳米计划”项目（参与）：“基于自旋和量子效应的磁和半导体纳米存储与逻辑器件的研究”；项目组成员，项目编号：2006CB932200，年限：2006.1-2011.12，资助经费：400万。
代表性论文、著作和专利等：
[1] Coercivity enhancement in exchange-biased ferromagnet/FeMn bilayers
Phy.Rev.B66, 184411 (2002)
L.Wang,B You,S.J.Yuan,J.Du,W.Q.Zou,A.Hu and S.M.Zhou
[2] Effect of capping layer on coercivity of permally thin films
Physica Status Solidi201, 2099(2004)
L. Wang,B You,J.Du,W.T.Sheng,A.Hu and S.M.Zhou
[3] Magnetoresistance effect in antiferromagnet/nonmagnet/antiferromagnet multilayers.
L. Wang,S. G. Wang, S. Rizwan, Q. H. Qin, and X. F. Han
Appl. Phys.Lett.95 (2009) 152512.
[4] Study of Magnetization Reversal by Minor Loops in IrMn/CoFe Exchange-Biased Bilayers
L. Wang,S. G. Wang, Q. H. Qin, and X. F. Han
Journal of nanoscience and nanotechnology11(2011) 1.
[5] Anomalous Behavior of Coercivity in Ferromagnet/Antiferromagnet Bilayers
L. Wang,S. G. Wang, Q. L. Ma, H. F. Liu, and X. F. Han
Journal of spintronics and Magnetic Nanomaterials 1(2012) 1.
[6]Domain wall resistance in a Co and Py transverse“coercivity heterostructures”
configuration
L Wang, R. Y. Zhang, X. J. Wang, W. T. Xu, W. L. Zhao, G. Li, and Y. F. Liu,AIP Advances,2018.1.10, 8(1)
[7]The Domain Wall Resistance in a Doped Py Thin Films,
L Wang,R. Y. Zhang, X. J. Wang, W. T. Xu, W. L. Zhao, G. Li, and Y. F. Liu
Materials Research Express,2018.1.22, 5(1)

获得相关国家发明专利如下：
获得的已授权的国家发明专利：
[1]磁电阻自旋阀温控开关传感器
发明人：王磊丰家峰张谢群韩秀峰
中国发明专利授权号：ZL 3.5 授权日： 2006.11.08
[2] 一种层状集成的三维磁场传感器及其制备方法和用途
发明人：王磊韩秀峰魏红祥、杨捍东、翟光杰
中国发明专利授权号：授权日：2009.10.14
[3]用于电流过载保护器的开关型磁场传感器
发明人：王磊方以坤王天兴韩秀峰
中国发明专利授权号：ZL 2004 1 **.X 授权日： 2008.06.04
[4]自旋阀型数字式磁场传感器及其制作方法
发明人：王磊赵静韩宇男韩秀峰
中国发明专利授权号：ZL 5.4 授权日： 2008.02.13
[5]线性磁场传感器及其制作方法
发明人：王磊韩秀峰李飞飞姜丽仙张谢群詹文山
中国发明专利授权号：ZL 2.0 授权日： 2008.12.10
[6]隧道结非接触式位移测量方法及位移传感器
发明人：王磊岳廷李广
中国发明专利授权号：ZL 6.x 授权日： 2010.2.17
[7] 一种平面集成的三维磁场传感器及其制备方法和用途
发明人：覃启航、韩秀峰、王磊、马明、魏红祥、詹文山
中国发明专利授权号：授权日：
国际发明专利申请号：申请日：
[8] 一种集成的三维超导复合磁场传感器及其制法和用途
发明人：覃启航、韩秀峰、王磊、马明、赖武彦、詹文山
中国发明专利授权号：授权日：.05.04
[9] 一种具有线性磁电阻效应的磁性多层膜及其用途
发明人：魏红祥、韩秀峰、赵静、杜关祥、王磊、王荫君
中国发明专利授权号：授权日：.06.24
[10]一种高精度编码器和角度传感器的制备方法
申请人：王磊蔡轲
中国发明专利授权号：：5.X授权日：2013.5.28
[11]一种具有自动校正功能的电子罗盘制作方法
申请人：王磊董元李良罗清蔡轲
中国发明专利授权号：：02授权日：2014.02.17
[12] 一种可提高巨磁电阻效应的自旋阀制备方法
发明人：周仕明王磊杨德政
中国发明专利授权号：授权日：2007.10.03
[13] 一种磁性多层膜中实现垂直各向异性的方法
发明人：周仕明袁淑娟王磊
中国发明专利授权号：授权日：2006.04.19
获奖情况：