姓名：周郁明
　　导师情况：硕导
　　学历：博士
　　职称：副教授
　　邮编：243032

　　个人基本信息：
　　周郁明，湖北武汉人，1971年5月出生，分别于2004年和2007年毕业于华中科技大学微电子学与固体电子学专业，获工学硕士和工学博士学位。2007年作为引进人才进入湖南大学物理与微电子科学学院工作，同年底进入湖南大学电气工程博士后流动站工作，2010年8月调入安徽工业大学电气信息学院，2013年获国家留学基金委全额资助赴美国奥本大学访学一年。作为主要研究人员参与了包括国家自然科学基金重点项目在内的多项课题，主持完成一项湖南省自然科学基金项目，目前在研一项国家自然科学基金面上项目。以第一作者身份已在《Plasma Science and Technology》、《Chinese Physics B》、《电工技术学报》等刊物上发表10余篇论文（其中SCI收录4篇，EI收录8篇）。目前感兴趣的研究领域包括：（1）新型功率半导体器件及其应用技术；（2）功率器件与功率集成电路；（3）高频高功率电源技术。

　　科研论文及成果：
　　[1]周郁明．钒补偿度对SiC光导开关特性影响的研究．电子科技大学学报（自然科学版），2012．41（6）：937-940．
　　[2]Zhou Yuming，Aijin Jin．Effects of Vanadium-compensated Concentration on the Electrical Characteristics of SiC Photoconductive Switches．IEEE 7th International Power Electronics and Motion Control Conference，2012，6．
　　[3]Zhou Yuming，He Yigang．Effect of grain boundary on electric performance of ZnO nanowire transistor with a wrap-around gate．Journal of Central South University of Technology，2011，18（4）：1009-1012．
　　[4]Zhou Yuming，He Yigang．Effect of grain boundary on the characteristics of poly-Si MIS photodetector．International Journal of Modern Physics B，2011，18（4）：2403-2410．
　　[5]Zhou Yuming，He Yigang．Simulation of grain boundary effect on characteristics of ZnO thin film transistor by considering the location and orientation of grain boundary．Chinese Physics B，2009，18（9）：3966-3969．
　　[6]周郁明，何怡刚．短脉冲作用下磁开关的磁场分析．高电压技术，2009，35（5）：1118-1121．
　　[7]周郁明，何怡刚．一种自积分Rogowski线圈波形畸变校正方法的研究．湖南大学学报，2008，35（8）：43-45．
　　[8]Zhou Yuming，Yu Yuehui．A High Power Semiconductor Switch RSD for Pulsed Power Appications．Plasma Science and Technology，2007，9（5）：622-625．
　　[9]周郁明，余岳辉．一种高压RSD开关触发方法设计．电工技术学报，2007，22（10）：113-116．
　　[10]周郁明，余岳辉．高压RSD开关谐振触发仿真研究．高电压技术，2007，33（6）：33-36．
　　[11]周郁明，余岳辉．超高速大电流半导体开关实验研究．强激光与粒子束，2006，18（3）：447-450．
　　[12]Zhou Yuming，Yu Yuehui．Turn-on Condition and Characteristics of High Power Semiconductor Switch RSD．IEEE 5th International Power Electronics and Motion Control Conference，2006，8，Vol．2．

　　在研项目：
　　[1]国家自然科学基金面上项目：高功率4H SiC光导开关超高耐压形成方法研究，主持，编号51177003，起止时间：2012．1-2015．12，经费：65万元。

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